[发明专利]一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池及其制备方法。本发明提供的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池的制备方法，利用APCVD设备分别在硅基体前后表面沉积掺硼SiO₂，形成BSG膜，和掺磷SiO₂，形成PSG膜，然后作退火处理，使得要掺杂的硼杂质和磷杂质分别从BSG膜和PSG膜中扩散到硅基体中，从而在硅基体前表面形成p+掺杂的发射极，在硅基体背表面形成n+掺杂的基极，制备钝化减反膜和钝化膜，最后通过丝网印刷和共烧结的工艺实现硅基体前表面p+掺杂的发射极和背表面n+掺杂的基极的欧姆接触，完成N型双面太阳能电池的制作。本发明的制备方法将APCVD技术引入N型双面电池的制作工艺中，不仅可以省去掩膜的工艺，而且也不需要边缘刻蚀，工艺流程简单可靠。

主权项

一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理；(2)利用APCVD技术在N型晶体硅基体的前表面沉积一层掺硼的SiO₂，形成BSG膜；利用APCVD技术在N型晶体硅基体的背表面沉积一层掺磷的SiO₂，形成PSG膜；(3)利用退火设备对沉积有BSG膜和PSG膜的N型晶体硅基体进行退火，使掺杂的硼杂质从BSG膜扩散到N型晶体硅基体中，在前表面形成p+掺杂的发射极，使掺杂的磷杂质从PSG膜扩散到N型晶体硅基体中，在背表面形成n+掺杂的基极；(4)利用化学药液去除N型晶体硅基体前表面的BSG膜和后表面的PSG膜，并对N型晶体硅基体进行清洗；(5)在N型晶体硅基体的前表面制备钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面制备钝化膜；(6)在N型晶体硅基体的前表面形成与发射极欧姆接触的P+电极，在N型晶体硅基体的背表面形成与基极欧姆接触的N+电极，完成N型双面太阳能电池的制作。