[发明专利]一种蚀刻过程中酸浓度的监控方法及系统有效
申请号: | 201610137969.2 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN105845604B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 徐蕊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种蚀刻过程中酸浓度的监控方法及系统。本发明通过获取蚀刻体系当前已蚀刻的产品数量,根据产品数量和已建立的表征蚀刻酸液中不同酸的浓度随蚀刻产品数量的变化关系的酸浓度变化模型,确定蚀刻体系当前蚀刻酸液中不同酸的浓度值。通过上述方式,本发明能够准确、快速确定蚀刻体系中不同酸的浓度值。 | ||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 过程 浓度 监控 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻过程中酸浓度的监控方法,其特征在于,所述方法包括:获取蚀刻体系当前已蚀刻的产品数量;根据所述产品数量和已建立的对应所述蚀刻体系的酸浓度变化模型,确定所述蚀刻体系当前蚀刻酸液中不同酸的浓度值,所述酸浓度变化模型用于表征蚀刻酸液中不同酸的浓度随蚀刻产品数量的变化关系;所述获取蚀刻体系当前已蚀刻的产品数量之前,还包括:分别获取所述蚀刻体系在蚀刻不同产品数量后,蚀刻酸液中的不同酸的实际浓度值;根据获取的产品数量以及对应的蚀刻所述产品数量后蚀刻酸液中的不同酸的实际浓度值,以所述产品数量为自变量,所述不同酸的实际浓度值为函数,建立所述酸浓度变化模型;所述方法还包括:基于确定的所述蚀刻体系当前蚀刻酸液中不同酸的浓度值,对所述蚀刻体系所消耗的酸液进行补充以满足蚀刻需求;所述蚀刻酸液中不同酸分别为硝酸、磷酸和冰醋酸;所述蚀刻体系为铝蚀刻液,其中,初始酸含量为所述硝酸1.8%~2.0%、所述磷酸70~72%、所述冰醋酸9.5%~10.5%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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