[发明专利]一种多晶硅铸锭的二次退火工艺有效
| 申请号： | 201610122934.1 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105624794B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 杨智兵;张志强;魏国 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 连云港润知专利代理事务所32255 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222000 江苏省连云港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多晶硅铸锭的二次退火工艺，其步骤如下硅原料经铸锭工艺中的加热、熔化、长晶工序处理后进行第一次退火，退火温度为1330~1380℃，保温1~2.5h；通过降低加热功率及关闭隔热板对经第一次退火后的硅锭进行降温处理，再进行第二次退火，二次退火温度为1150~1250℃，保温0.5~1.5h，然后进行后续工序。本发明在多晶硅铸锭工艺程序中增加一次炉内中高温退火，可有效降低头尾温度差异及热应力，充分释放热应力，有效提高硅锭力学性能。与现有技术相比，本发明能够有效提高硅锭质量，降低切片过程中的碎片、缺角、崩边、裂纹比例，提高硅片出片数，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 二次 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅铸锭的二次退火工艺，其特征在于，其步骤如下：（1）硅原料经铸锭工艺中的加热、熔化、长晶工序处理后进行第一次退火，退火温度为1330~1380℃，保温1~2.5h；（2）通过降低加热功率及关闭隔热板对经第一次退火后的硅锭进行降温处理，再进行第二次退火，退火温度为1150~1250℃，保温0.5~1.5h，然后进行后续工序；按照降温速率1.5~2.0℃/min将硅锭冷却至二次退火温度。
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