[发明专利]一种旋转ITO靶材制备工艺

摘要

本发明提供一种旋转ITO靶材制备工艺，通过制造氧化铟粉末、制造二氧化锡粉末、二者混合球磨造粒并且冷压烧结，最后绑用钛管，在较短的制造时间内制造出致密性为99.98%以上的旋转ITO靶材，节约制备时间，提高产品品质。

主权项

一种旋转ITO靶材制备工艺，其特征在于：所述制备工艺步骤如下：步骤一：在密闭容器内，用纯度为99.999%的金属铟和浓度为68%的电子级浓硝酸反应生成硝酸铟，再加入浓度为20%‑28%的氨水，生成氢氧化铟沉淀，再将氢氧化铟沉淀通过中和洗涤得到高纯的氢氧化铟粉末，氢氧化铟粉末经过烧培、混合、筛分后得到氧化铟粉末（In₂O₃）；步骤二：在密闭容器内的条件下，使锡与硝酸充分反应生成偏锡酸沉淀，偏锡酸沉淀经中和洗涤、干燥得到偏锡酸粉末，偏锡酸经烧培、破碎、球磨后得二氧化锡粉末（SnO₂）产品；步骤三：将步骤一和步骤一所得的粉末按90~97:3~10的比例进行混合、球磨、喷雾造粒后得到纳米级ITO粉末；步骤四：将步骤三制备好的ITO粉末装于聚氨酯模具中，用冷等静压设备进行成型，制成ITO素胚；步骤五：将步骤四中的ITO素胚置于高温氧气烧结炉中进行烧结，制成高密度ITO靶材半成品；步骤六：将高密度ITO靶材中间物进行内外圆磨、磨边等机加工；步骤七：将经过步骤六加工后的高密度ITO靶材中间物绑定于钛管外表面。