[发明专利]一种错位硅酸铁锂及其制备方法在审
| 申请号： | 201610097411.6 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105762357A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 倪江锋;王文聪;李亮 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种错位硅酸铁锂及其制备方法，本发明公开了一种高性能的锂离子电池正极材料硅酸铁锂，该材料的化学限定式为Li2‑2xFe1+xSiO4(其中0<X≤0.5)，并且具有一般硅酸盐晶格结构。本发明还公开了制备所述硅酸铁锂的方法：将含有锂源、铁源和硅源的化合物按比例混合均匀，然后在惰性气氛下进行锻烧，即可得到所述的硅酸铁锂材料。该硅酸铁锂材料具有匹配的反应电子数和离子数，同时可解决循环过程中的阳离子混排问题，因而可以具有较高的充放电容量和稳定的循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 错位 硅酸 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种错位硅酸铁锂，其特征在于：所述硅酸铁锂含有Li/Fe错位结构，并具有一般聚阴离子硅酸盐晶格结构以及Li2‑2xFe1+xSiO4限定式，其中x的范围为0<x≤0.5。
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