[发明专利]一种用于射频电路的低功耗LDO电路有效

专利信息
申请号: 201610093914.6 申请日: 2016-02-19
公开(公告)号: CN105739585B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 刘德珩;孔繁晓 申请(专利权)人: 武汉市聚芯微电子有限责任公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)42224 代理人: 宋业斌
地址: 430000 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种用于射频电路的低功耗LDO电路,包括误差放大器,第一PMOS管,第一电阻,第二电阻,第一电容,第一PMOS管的栅极连接至误差放大器的输出端,第一PMOS管的源极连接电源,第一PMOS管的漏极通过依次串联连接的第一电阻和第二电阻接地,第一PMOS管的漏极还通过第一电容接地;误差放大器的电源端连接至电源,误差放大器的反相输入端连接参考电压,误差放大器的正相输入端连接至第一电阻和第二电阻的串联连接端。本发明大大降低了成本和芯片面积,同时采用了创新性的前馈补偿和零极点追踪技术,以弥补片上电容所带来的系统稳定性变差和瞬态响应下降。
搜索关键词: 一种 用于 射频 电路 功耗 ldo
【主权项】:
一种用于射频电路的低功耗LDO电路,包括误差放大器Gm,第一PMOS管Mp,第一电阻Rf1,第二电阻Rf2,第一电容CL,所述第一PMOS管Mp的栅极连接至所述误差放大器Gm的输出端,所述第一PMOS管Mp的源极连接电源Vdd,所述第一PMOS管Mp的漏极通过依次串联连接的所述第一电阻Rf1和所述第二电阻Rf2接地,所述第一PMOS管Mp的漏极还通过所述第一电容CL接地;所述误差放大器Gm的电源端连接至所述电源Vdd,所述误差放大器Gm的反相输入端连接参考电压Vref,所述误差放大器Gm的正相输入端连接至所述第一电阻Rf1和所述第二电阻Rf2的串联连接端;其特征在于,所述低功耗LDO电路还包括:一端连接所述电源Vdd,另一端与所述误差放大器Gm的输出端和所述第一PMOS管Mp的栅极均连接的补偿单元,以及连接在所述误差放大器Gm的输出端与所述第一PMOS管Mp的漏极之间的前馈通路;所述前馈通路用于建立一条高频的高带宽低增益通路,用以拓宽环路带宽以改善电路在高频区间的响应,同时补偿电路原有的复杂零极点分布;所述补偿单元用于在电路内部建立一个等效ESR,以规避传统外部ESR所造成的高频响应衰减;该ESR用以产生额外的零极点对以改善环路的稳定性,所述补偿单元包括补偿电容Cc和开关管Mc,所述开关管Mc的第一端作为所述补偿单元的一端,所述补偿电容Cc的一端连接至所述开关管Mc的第二端,所述补偿电容Cc的另一端和所述开关管Mc的控制端作为所述补偿单元的另一端;且所述开关管Mc的控制端用于控制第一端与第二端之间的导通;所述前馈通路包括:连接在所述误差放大器Gm的输出端与所述第一PMOS管Mp的漏极之间的高增益模块,以及与所述高增益模块并联连接的高速模块;所述高增益模块用于提升环路的DC增益,所述高速模块用于控制环路高频信号并生成一个高频通路用以补偿非主极点;所述高增益模块包括依次串联连接的多级放大器,所述高速模块包括依次串联连接的多级放大器,且所述高增益模块中放大器的级数与所高速模块中放大器的级数相等;所述高增益模块包括依次串联连接的放大器Gm2和放大器Gm3,所述高速模块包括依次串联连接的放大器Gmf1和放大器Gmf2,且放大器Gmf1和放大器Gmf2的极性为负极性。
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