[发明专利]摄像装置

摘要

有关本发明的一方式的摄像装置具备：半导体基板；光电转换元件，包括第1电极、第2电极及上述第1电极与上述第2电极之间的光电转换膜，被上述半导体基板支承，通过对入射光进行光电转换而生成信号；多层配线构造，包括设在上述半导体基板与上述光电转换元件的上述第2电极之间的上部配线层及下部配线层；信号检测电路，设在上述半导体基板及上述多层配线构造内，包括信号检测晶体管及第1电容元件，检测上述信号；上述信号检测晶体管包括栅极、以及设在上述半导体基板上的源极区域及漏极区域；上述第1电容元件包括第1下部电极、第1上部电极、及配置在上述第1上部电极与上述第1下部电极之间的电介质膜；上述上部配线层配置在上述光电转换元件的上述第2电极与上述信号检测晶体管的上述栅极之间；上述上部配线层包含上述第1上部电极。

主权项

一种摄像装置，其特征在于，具备：半导体基板；光电转换元件，包括第1电极、第2电极及上述第1电极与上述第2电极之间的光电转换膜，被上述半导体基板支承，通过对入射光进行光电转换而生成信号；多层配线构造，包括设在上述半导体基板与上述光电转换元件的上述第2电极之间的上部配线层及下部配线层；信号检测电路，设在上述半导体基板及上述多层配线构造内，包括信号检测晶体管及第1电容元件，检测上述信号；上述信号检测晶体管包括栅极、以及设在上述半导体基板上的源极区域及漏极区域；上述第1电容元件包括第1下部电极、第1上部电极、以及配置在上述第1上部电极与上述第1下部电极之间的电介质膜；上述上部配线层配置在上述光电转换元件的上述第2电极与上述信号检测晶体管的上述栅极之间；上述上部配线层包含上述第1上部电极。