[发明专利]用于高效太阳电池的叠层金属薄膜、制备方法及太阳电池在审
申请号: | 201610081795.2 | 申请日: | 2016-02-05 |
公开(公告)号: | CN105552148A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 蔡文浩;陈奕峰;皮尔·威灵顿;盛赟;袁声召;崔艳峰;王子港;端伟元 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/043;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于高效太阳电池的叠层金属薄膜,包括铝薄膜,所述铝薄膜与硅基体局部接触,其特征在于:在所述铝薄膜的表面生长一层或多层活动性较低的第二金属薄膜或合金薄膜,其中,所述铝薄膜的厚度为100-5000nm,第二金属薄膜或合金薄膜的厚度为2-200nm。同时,本发明还公开一种用于高效太阳电池的叠层金属薄膜的制备方法以及包含该叠层金属薄膜的太阳电池。本发明通过在铝金属薄膜上沉积活动性较低的第二金属薄膜或合金薄膜形成叠层金属薄膜,该叠层金属薄膜可有效阻挡水汽,使其不与铝发生反应,解决高效太阳电池中铝金属薄膜耐水汽性能差的问题,从而提交太阳电池组件的耐水汽性能。 | ||
搜索关键词: | 用于 高效 太阳电池 金属 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于高效太阳电池的叠层金属薄膜,包括铝薄膜,所述铝薄膜与硅基体局部接触,其特征在于:在所述铝薄膜的表面生长一层或多层活动性较低的第二金属薄膜或合金薄膜,其中,所述铝薄膜的厚度为100‑5000nm,第二金属薄膜或合金薄膜的厚度为2‑200nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的