[发明专利]一种制备硒化锡纳米带和硒化锡纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种制备硒化锡纳米带和硒化锡纳米线的方法。本发明方法是先将硅片处理干净，在高温管式炉中心温区放入硒化锡粉末，在气流下游放置洗净后的硅片作为硅衬底，抽真空，用30‑70sccm（standard‑state cubic centimeter per minute，标况毫升每分）Ar气流恢复至常压，加热至700‑1000℃，保持0.5‑5小时，然后自然降温，得到产物硒化锡纳米带和硒化锡纳米线。本发明方法无需催化剂，在常压下同时合成了硒化锡纳米带和硒化锡纳米线，获得的硒化锡纳米带具有表面光滑、横向尺度大、柔韧性好的特点；获得的硒化锡纳米线长度达到亚毫米级别且表面光滑；本发明方法对环境污染小，实验方法简单，易于操作、推广，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。

主权项

一种制备硒化锡纳米带和硒化锡纳米线的方法，其特征在于：包括如下步骤：先将硅片处理干净，在高温管式炉中心温区放入硒化锡粉末，在气流下游放置洗净后的硅片作为硅衬底，抽真空，用Ar气流恢复至常压，保持一定Ar气流量，高温管式炉中心温区加热至700‑1000℃，保持反应0.5‑5小时，然后自然降温，得到产物硒化锡纳米带和硒化锡纳米线；其中，反应生长时系统内是一个大气压；所述Ar气流量为30‑70sccm；硒化锡粉末为纯度99.8%以上的硒化锡粉；所述硅衬底放置位置在气流下游距中心温区5‑25cm。