[发明专利]一种直角顶角硅阶梯光栅及其制造方法有效
| 申请号： | 201610037661.0 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106990461B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴亚明;翟雷应;徐静 | 申请（专利权）人： | 安徽中科米微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种直角顶角硅阶梯光栅及其制造方法，用于在硅基片上制造具有直角顶角的阶梯光栅，该方法包括：在硅基片的表面形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模具有使所述基片的表面露出的开口，所述基片是单晶硅片；对形成有蚀刻掩模的所述基片进行湿法腐蚀，以形成周期性排列的刻槽，其中，每个所述刻槽至少具有相互垂直的两个侧壁，所述侧壁为硅(110)晶面，并且，在相邻的所述刻槽之间形成由相邻的所述侧壁形成的直角顶角；以及在所述刻槽的所述侧壁覆盖光学薄膜层。根据本申请的方法可以获得严格垂直的直角顶角硅阶梯光栅，其闪耀角可根据需求设计，具有工艺简单、光栅刻槽表面质量高、刻槽间距误差小、批量化、低成本的技术优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直角 顶角 阶梯 光栅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种直角顶角硅阶梯光栅的制造方法，用于在硅基片上制造具有直角顶角的阶梯光栅，其特征在于，该方法包括：在基片的表面形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模具有使所述基片的表面露出的开口，所述基片是单晶硅片；对形成有蚀刻掩模的所述基片进行湿法腐蚀，以形成周期性排列的刻槽，其中，每个所述刻槽至少具有相互垂直的两个侧壁，所述侧壁是硅(110)晶面，并且，在相邻的所述刻槽之间具有由相邻的所述侧壁形成的直角顶角；以及在所述刻槽的所述侧壁覆盖光学薄膜层，以形成所述直角顶角硅阶梯光栅。
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