[发明专利]低温多晶硅薄膜及薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201610032218.4 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105513950A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上沉积减反射膜，所述减反射膜的折射率随着沉积厚度的增加逐渐降低，且所述减反射膜的最大折射率小于所述非晶硅层的折射率；对所述非晶硅层进行激光退火处理，使所述非晶硅层转化为多晶硅薄膜。上述低温多晶硅薄膜的制备方法，通过在非晶硅层上设置有减反射膜，由于减反射膜的光折射率介于空气与非晶硅之间，且减反射膜的折射率随着沉积厚度的增加逐渐降低，通过减反射膜可以降低界面两侧介质的折射率差值，进而可以减少界面反射，提高光能量的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上沉积减反射膜，所述减反射膜的折射率随着沉积厚度的增加逐渐降低，且所述减反射膜的最大折射率小于所述非晶硅层的折射率；对所述非晶硅层进行激光退火处理，使所述非晶硅层转化为多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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