[发明专利]一种p型硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种p型硅太阳能电池及其制备方法。所述p型硅太阳能电池包括p型硅衬底，在p型硅衬底的正面制有n+掺杂层和减反射层，穿过所述减反射层制有正面电极，正面电极与n+掺杂层相接；在所述p型硅衬底的背面制有背面钝化层，所述背面钝化层包括由铁电薄膜材料或掺杂的铁电薄膜材料制成的膜层，在背面钝化层上通过印刷、烧结工艺制有背面电极。本发明采用铁电薄膜材料作为电池背面钝化层的主要材料，可以很好地改善电池的开路电压和短路电流，提高电池的转换效率。

主权项

一种p型硅太阳能电池，其特征是，包括p型硅衬底，在所述p型硅衬底的正面和背面均制有金字塔状的绒面结构，且绒面结构中金字塔的平均高度控制在1μm~15μm之间；在所述p型硅衬底的正面制有n+掺杂层，在所述n+掺杂层上制有减反射层；在所述减反射层上通过印刷、烧结工艺制有正面电极，所述正面电极穿过所述减反射层与所述n+掺杂层相接；在所述p型硅衬底的背面通过旋涂工艺制有背面钝化层，所述背面钝化层包括由铁电薄膜材料或掺杂的铁电薄膜材料制成的膜层，具体地，所述背面钝化层包括锆钛酸铅膜层、铁酸铋膜层、钛酸钡膜层和钛酸锶钡膜层中的一种或任意两种相互结合的叠层；所述背面钝化层的厚度为3nm~600nm；在所述背面钝化层上通过印刷、烧结工艺制有背面电极；所述p型硅太阳能电池是经稳压电源极化后的太阳能电池，具体极化工艺为：采用稳压电源对p型硅太阳能电池施加一恒定电压或恒定电流，恒定电压范围为1V~50V，恒定电流范围为0.01A~10A，极化时间为1s~100s。