[发明专利]兼容DDR1、DDR2和DDR3的电荷泵电源及升压方法有效
| 申请号： | 201610027584.0 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105490526B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 梁星 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种兼容DDR1、DDR2和DDR3的电荷泵电源及升压方法，电荷泵电源包括：若干电荷泵、电源监测电路和逻辑控制电路；所述若干电荷泵用于实现输入电源vext到目标高压的转换；所述电源监测电路用于监测电源电压的电平高低；所述逻辑控制电路用于根据电源监测电路的输出结果，产生相应的使能信号，控制若干电荷泵的工作，将输入电源vext提升至目标高压。本发明能同时兼容DDR1、DDR2和DDR3，在DDR1、DDR2和DDR3下都具有较好的转换效率和适宜的电流驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电源监测电路 电荷泵电源 电荷泵 逻辑控制电路 兼容 升压 目标高压 输入电源 电流驱动能力 监测电源 使能信号 输出结果 转换效率 转换 | ||
【主权项】：
1.一种兼容DDR1、DDR2和DDR3的电荷泵电源，其特征在于，包括：若干电荷泵、电源监测电路和逻辑控制电路；所述若干电荷泵用于实现输入电源vext到目标高压的转换；所述电源监测电路用于监测电源电压的电平高低；所述逻辑控制电路用于根据电源监测电路的输出结果，产生相应的使能信号，控制若干电荷泵的工作，将输入电源vext提升至目标高压；所述若干电荷泵均包括第一级子电荷泵stage1、第二级子电荷泵stage2、与门and1、电平转换电路和pmos晶体管p1；第一级子电荷泵stage1的输入端连接输入电源vext，第一级子电荷泵stage1的控制端和与门的第一输入端均连接到输入电源vext、逻辑控制电路的输出信号pump2_en或逻辑控制电路的输出信号pump3_en，第一级子电荷泵stage1的输出端连接第二级子电荷泵stage2的输入端和pmos晶体管p1的漏极；第二级子电荷泵stage2的输出端连接电荷泵电源的输出端pump_out，第二级子电荷泵stage2的控制端连接与门的输出端；逻辑控制电路的输出信号stage2_en连接与门的第二输入端和电平转换电路的输入端；电平转换电路的输出端连接pmos晶体管p1的栅极，电平转换电路的电源端和晶体管p1的源极均连接到电荷泵电源的输出端pump_out。
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