[发明专利]电子设备有效
| 申请号： | 201610021942.7 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106057235B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李炯东;金秀吉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子设备包括半导体存储器单元。半导体存储器单元包括：一个或多个电阻式存储单元；存取电路，适用于在写入操作期间将写入电压在第一方向或第二方向上施加在所述电阻式存储单元中的选中电阻式存储单元两端；一个或多个第一开关单元，每个安置在存取电路与电阻式存储单元之中的对应的电阻式存储单元的第一端之间，并且当在写入操作期间对应的电阻式存储单元被选中时响应于具有比预定电平高的电平的第一电压而导通；以及一个或多个第二开关单元，每个安置在存取电路与电阻式存储单元之中的对应的电阻式存储单元的第二端之间，并且当在写入操作期间对应的电阻式存储单元被选中时响应于具有等于或小于所述预定电平的电平的第二电压而导通。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 | ||
【主权项】：
一种电子设备，包括半导体存储器单元，其中，所述半导体存储器单元包括：一个或多个电阻式存储单元；存取电路，适用于在写入操作期间将写入电压在第一方向或第二方向上施加在所述电阻式存储单元之中的选中电阻式存储单元两端；一个或多个第一开关单元，所述一个或多个第一开关中的每个耦接到存取电路和所述电阻式存储单元之中对应的电阻式存储单元的第一端，且安置在存取电路与所述电阻式存储单元之中对应的电阻式存储单元的第一端之间，并且当在写入操作期间对应的电阻式存储单元被选中时响应于具有比预定电平高的电平的第一电压而导通；以及一个或多个第二开关单元，所述一个或多个开关单元中的每个耦接到存取电路和所述电阻式存储单元之中对应的电阻式存储单元的第二端，且安置在存取电路与所述电阻式存储单元之中对应的电阻式存储单元的第二端之间，并且当在写入操作期间对应的电阻式存储单元被选中时响应于具有等于或小于所述预定电平的电平的第二电压而导通。
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