[发明专利]一种碳纳米管多维编织预制体陶瓷基复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610020578.2 申请日: 2016-01-14
公开(公告)号: CN105693263B 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 梅辉;韩道洋;肖珊珊;夏俊超;成来飞 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 西北工业大学专利中心61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种碳纳米管多维编织预制体陶瓷基复合材料的制备方法,首先将CNTs纤维或者CNTs纸沉积一定厚度的PyC界面层或者陶瓷基体,该预制体具有一定的刚度和强度,较低的拉伸率等特点,然后将此CNTs纸叠层,CNTs纤维排列铺层,或者编织,随后采用CVI工艺沉积陶瓷基体进行致密化,完成一维、二维和三维陶瓷基复合材料的制备。该方法CNTs预制体简易可行,CNTs体积分数可调范围广,制备出的复合材料能达到实际应用。
搜索关键词: 一种 纳米 多维 编织 预制 陶瓷 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种碳纳米管多维编织预制体陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1:在CNTs预制体沉积一层小于500纳米的PyC界面层,沉积工艺条件为:沉积温度800~1000℃,压力0.2~0.4kPa,丙烯流量200~600m1/min,Ar气流量250~350m1/min,沉积时间0~20h;步骤2:采用CVI工艺沉积SiC基体,工艺条件为:三氯甲基硅烷为源物质,氩气为稀释气体,氢气为载气,沉积温度为1000~1100℃,沉积时间20~80h得到CNTs/SiC预制体;所述氩气流量为300~400ml/min;所述氢气流量为200~350ml/min;所述氢气和三氯甲基硅烷的摩尔比为10︰1;或改变源物质为氮源NH3,沉积温度为800~1100℃,沉积20~80h得到CNTs/Si3N4预制体;所述氮源流量为载气氢气的0.1~10;步骤3:将CNTs/SiC预制体或CNTs/Si3N4预制体蘸取粘结剂水溶液,叠层或铺层后底部和顶部采用碳纤维布包覆,并用石墨夹具固定后放入沉积炉中进行沉积;当CNTs预制体为编织体时,直接用石墨夹具固定后放入沉积炉中进行沉积;如要得到一维复合材料,直接用石墨夹具固定后放入沉积炉中进行沉积;步骤4:将步骤3中得到的预制体放入沉积炉中,工艺条件为:三氯甲基硅烷为源物质,氩气为稀释气体,氢气为载气,沉积温度为1000~1100℃,沉积时间80~320h得到CNTs的陶瓷基复合材料;所述氩气流量为300~400ml/min;所述氢气流量为200~350ml/min;所述氢气和三氯甲基硅烷的摩尔比为10︰1;或改变源物质为氮源NH3,沉积温度为800~1100℃,沉积80~320h得到CNTs/Si3N4陶瓷基复合材料;所述氮源流量为载气氢气的0.1~10;所述CNTs预制体为:CNTs纤维、CNTs薄膜或CNTs编织体;所述粘结剂水溶液是:配制质量分数为0.2~1.5%的羧甲基纤维素钠或聚乙烯醇水溶液作为粘结剂水溶液。
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