[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备有效
| 申请号： | 201610004485.0 | 申请日： | 2007-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105675555B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | T·特鲁科;R·A·巴多斯 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/66;G01N21/956 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;王红艳 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光(110)、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像(120)、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性(130)来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 发光 成像 测试 间接 半导体器件 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用来识别太阳能电池中的电隔离或不良连接区域的方法，所述太阳能电池包括间接带隙半导体晶片的一部分，所述间接带隙半导体晶片具有至少一个设置在其表面上的金属图案，所述方法包括步骤：激发所述太阳能电池发光；捕获所发射的光的至少一个图像；以及根据所述至少一个图像中的区域的强度的比较来识别所述太阳能电池中的电隔离或不良连接区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于BT成像股份有限公司，未经BT成像股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610004485.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于苯炔荧光试剂检测硫脲含量的新方法
- 下一篇：一种农产品品质综合评价方法
