[发明专利]用于第二或第三行过渡金属薄膜的沉积的固有地选择性前驱体在审
| 申请号： | 201580081010.5 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN108064225A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | P.E.罗米罗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | C07F1/02 | 分类号： | C07F1/02;C23C16/04;C23C16/18;H01L21/285;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;杜荔南 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于沉积第二或第三行过渡金属（例如，钨或钌）薄膜的固有地选择性前驱体。在示例中，用于第二或第三行过渡金属络合物形成的配体构架包括锂络合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 第二 三行 过渡 金属 薄膜 沉积 固有 选择性 前驱 | ||
【主权项】：
1.一种用于第二或第三行过渡金属络合物形成的配体构架，所述配体构架包括：以下分子式的锂络合物：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580081010.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：结直肠癌相关疾病的生物标志物
- 下一篇：干湿除尘净化一体机
