[发明专利]多孔硅颗粒及生产硅颗粒的方法有效
| 申请号： | 201580080930.5 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107710464B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 杨军;苗荣荣;刘小林;蒋蓉蓉;张敬君;窦玉倩 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;C01B33/023 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及多孔硅颗粒、生产硅颗粒的方法、硅碳复合物、包含所述复合物的电极材料及电池、制备所述电池的方法以及所述硅碳复合物电极活性材料的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 颗粒 生产 方法 | ||
【主权项】：
生产硅颗粒的方法，所述方法包括以下步骤：1)制备二氧化硅来源材料、作为还原剂的镁粉和/或铝粉及作为吸热剂的盐或复合盐的混合物；2)在由所述还原剂的熔点至低于800℃的加热温度下在保护气氛中加热由步骤1)获得的混合物；3)去除所述吸热剂及所述还原剂的氧化产物；其特征在于，所述盐的熔化温度或所述复合盐的液相线温度在由高于步骤2)的所述加热温度的温度至800℃的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580080930.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
