[发明专利]光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源在审

专利信息
申请号: 201580075601.1 申请日: 2015-12-15
公开(公告)号: CN107209323A 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: T·T·奥克塞卓德;C·L·拜格;C·雅各布森;J·K·朗格塞;K·G·叶斯帕森;J·约翰森;M·D·马克;M·E·V·佩德森;C·L·汤姆森 申请(专利权)人: NKT光子学有限公司
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02;C03B37/012
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 代理人: 王勇,王博
地址: 丹麦*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种光子晶体光纤(PCF)、PCF的制备方法以及包括这种PCF的超连续谱光源。PCF具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的芯和围绕所述芯的包层区域。至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构。在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中,PCF包含氢和/或氘。在至少所述抗劣化长度部分中,所述PCF还包括围绕所述包层区域的主涂层,该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘,其中Th为至少约50℃,优选地,50℃<Th<250℃。
搜索关键词: 光子 晶体 光纤 制备 方法 以及 连续谱 光源
【主权项】:
一种光子晶体光纤(PCF),其具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的固体芯和围绕所述芯的包层区域,其中,至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构,其中,所述PCF在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中包含氢和/或氘,所述PCF在至少所述抗劣化长度部分中还包括围绕所述包层区域的主涂层,该主涂层在低于Th的温度下不透氢和/或氘,其中,Th为至少约50℃,优选地,50℃<Th<250℃。
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