[发明专利]流体处理结构、光刻设备和器件制造方法

摘要

一种用于光刻设备的流体处理结构被配置成将浸没流体容纳至一区域，流体处理结构在空间的边界处具有：至少一个气刀开口，在从该空间沿径向向外的方向上；和至少一个气体供应开口，在相对于该空间从至少气刀开口沿径向向外的方向上。气刀开口和气体供应开口都提供基本上纯的CO₂气体，以便在邻近该空间处和在该空间的径向外侧提供基本上纯的CO₂气体环境。

主权项

1.一种浸没系统，包括流体处理结构，所述流体处理结构被配置成将浸没流体容纳到一区域，所述流体处理结构在空间的边界处具有：至少一个气刀开口，所述气刀开口在从所述空间沿径向向外的方向上；和至少一个气体供应开口，所述气体供应开口在相对于所述空间从所述至少一个气刀开口沿径向向外的方向上；并且所述浸没系统还包括气体供应系统，所述气体供应系统被配置成通过所述至少一个气刀开口和所述至少一个气体供应开口供应纯的CO₂气体，以便在邻近所述空间处和在所述空间的径向外侧提供纯的CO₂气体氛围；其中所述气体以第一气体速度离开所述至少一个气刀开口，并且所述气体以第二气体速度离开所述至少一个气体供应开口，所述第一气体速度大于所述第二气体速度。