[发明专利]钴凹陷控制剂有效
| 申请号： | 201580057003.1 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107075310B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | S.克拉夫;A.沃尔夫;P.W.卡特;B.佩特罗 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含：(a)研磨剂颗粒；(b)钴腐蚀抑制剂；(c)钴凹陷控制剂，其中，该钴凹陷控制剂包含阴离子型头基以及C13‑C20脂族尾基；(d)对钴进行氧化的氧化剂；及(e)水，其中，该抛光组合物具有约3至约8.5的pH。本发明进一步提供一种运用本发明的化学机械抛光组合物来化学机械抛光基板的方法。典型地，该基板含有钴。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 控制 | ||
【主权项】：
1.化学机械抛光组合物，其包含：(a)研磨剂颗粒，(b)钴腐蚀抑制剂，其中，所述钴腐蚀抑制剂具有式R‑CON(CH3)CH2COOH，其中R为C8‑C13脂族基团，其中，所述钴腐蚀抑制剂的含量为1ppm至1000ppm，(c)钴凹陷控制剂，其中，该钴凹陷控制剂具有式R‑CON(CH3)CH2COOH，其中R为C15‑C17脂族基团，或者为C16‑C18烷基二苯醚二磺酸盐，其中，该钴凹陷控制剂的含量为1ppm至100ppm，(d)对钴进行氧化的氧化剂，及(e)水，其中该抛光组合物具有3至8.5的pH。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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