[发明专利]保护晶体管元件免受劣化物质的损害在审
| 申请号： | 201580044802.5 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106796946A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | J·琼曼;A·韦尔纳;J·迪内尔特;K·纽曼恩;S·瑞德尔 | 申请（专利权）人： | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种技术，包括提供层的堆叠，该堆叠至少限定了至少一个晶体管的a)源电极和漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道；将一个或多个有机绝缘层淀积在堆叠上方；通过消蚀技术去除一个多个所选区域中的堆叠的至少部分；将导体材料淀积在至少在一个或多个经消蚀的区域以及紧密围绕相应的经消蚀的区域的一个或多个边界区域中的堆叠上方；以及将无机绝缘材料淀积在至少在经消蚀的区域以及边界区域中的堆叠上方，从而覆盖经消蚀的区域并且与相应的经消蚀的区域四周的所述一个或多个边界区域中的所述导体材料直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 晶体管 元件 免受 物质 损害 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供层的堆叠，所述堆叠至少限定了至少一个晶体管的(a)源电极和漏电极、(b)栅电极和(c)半导体沟道；将一个或多个有机绝缘层淀积在所述堆叠上方；通过消蚀技术去除一个多个所选区域中的所述堆叠的至少部分；将导体材料淀积在至少在一个或多个经消蚀的区域以及紧密围绕相应的经消蚀的区域的一个或多个边界区域中的堆叠上方；以及将无机绝缘材料淀积在至少在经消蚀的区域以及边界区域中的堆叠上方，从而覆盖经消蚀的区域并且与相应的经消蚀的区域四周的所述一个或多个边界区域中的所述导体材料直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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