[发明专利]利用钨及钴兼容性移除蚀刻后残余物的含水及半含水清洁剂有效
| 申请号： | 201580043304.9 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107155367B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 宋凌雁;斯蒂芬·里皮;埃马纽尔·I·库珀 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 齐杨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示用于从上面具有等离子蚀刻后残余物的微电子装置清除所述残余物的清洁组合物及工艺。所述组合物实现所述残余物材料从所述微电子装置的高度有效清除，同时又不损坏也存在于所述微电子装置上的层间电介质、金属互连材料及/或帽盖层，所述残余物材料包括含钛蚀刻后残余物、含铜蚀刻后残余物、含钨蚀刻后残余物及/或含钴蚀刻后残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 兼容性 蚀刻 残余物 含水 清洁剂 | ||
【主权项】：
一种含水清洁组合物，其包括至少一种非离子表面活性剂腐蚀抑制剂、至少一种蚀刻剂源、至少一种钝化剂、水、任选地至少一种有机溶剂、任选地至少一种缓冲物质、任选地至少一种额外腐蚀抑制剂及任选地至少一种氧化剂，其中所述含水清洁组合物适于从上面具有等离子蚀刻后残余物的微电子装置清除所述残余物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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