[发明专利]用于使基底表面经受连续表面反应的喷嘴头、装置和方法有效
申请号: | 201580039948.0 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN106661731B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | P·索伊尼宁;M·瑟德隆德;J·佩尔托涅米 | 申请(专利权)人: | BENEQ有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王其文 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 本发明涉及一种喷嘴头(2)、一种用于使基底(6)的表面(8)经受至少第一前驱体(A)和第二前驱体(B)的连续表面反应的装置和方法。具有输出面(3)的喷嘴头(2)包括用于将前驱体(A、B)供应到基底(6)的表面(8)的至少一个前驱体喷嘴(22)和用于将前驱体(A、B)从基底(6)的表面(8)排放的至少一个排放通道(24、26)。输出面(3)按以下顺序包括:排放通道(24)、布置成供应第一前驱体(A)和第二前驱体(B)的至少一个前驱体喷嘴(22;21、23)、和排放通道(24)。 | ||
搜索关键词: | 用于 基底 表面 经受 连续 反应 喷嘴 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于使基底(6)的表面(8)经受至少第一前驱体(A)和第二前驱体(B)的连续表面反应的喷嘴头(2),所述喷嘴头(2)具有输出面(3),所述输出面包括:‑一个或多个前驱体喷嘴(22;21、23),所述一个或多个前驱体喷嘴布置成将所述第一前驱体(A)和所述第二前驱体(B)供应到所述基底(6)的表面(8);和‑至少两个排放通道(24),所述至少两个排放通道用于将前驱体(A、B)从所述基底(6)的表面(8)排放,所述输出面(3)按以下顺序包括:排放通道(24)、布置成供应所述第一前驱体(A)和所述第二前驱体(B)的至少一个前驱体喷嘴(22;21、23)、和排放通道(24),其特征在于,所述喷嘴头(2)的输出面(3)按以下顺序连续且邻近地包括:排放通道(24)、布置成供应所述第一前驱体(A)和第二前驱体(B)的至少一个前驱体喷嘴(22;21、23)、和排放通道(24),并且重复一次或多次以形成两个或更多个反应区域(X、Y、Z)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的