[发明专利]形成有氟化铝生成防止膜的化学气相沉积工艺腔部件在审

专利信息
申请号: 201580039534.8 申请日: 2015-03-27
公开(公告)号: CN106687620A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 金沃律;金沃珉 申请(专利权)人: 株式公司品維斯;金沃律;金沃珉
主分类号: C23C24/00 分类号: C23C24/00;C23C16/44;H01L21/205
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司11212 代理人: 杨立
地址: 韩国京畿道龙 仁市器兴区东白中央路16番道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及如下的化学气相沉积(CVD;chemical vapor deposition)工艺腔部件(component),作为位于化学气相沉积工艺腔的内部的部件,上述化学气相沉积工艺腔部件的特征在于,上述部件为由包含铝元素的材质构成的三维物体,沿着上述部件的三维表面形成有无裂痕的氟化铝(AlF3)生成防止膜,上述氟化铝生成防止膜在上述部件的表面喷涂陶瓷粉而成,上述陶瓷粉包含钇(Y,yttrium)或者由SiC、ZrO2、ZrC、TiO2、TiN、TiC、TiCN、TiCl2、HfO2中的一种以上的成分构成,上述氟化铝生成防止膜在上述部件的边角及面部不产生脱离现象。
搜索关键词: 形成 氟化 生成 防止 化学 沉积 工艺 部件
【主权项】:
一种化学气相沉积工艺腔部件,作为位于化学气相沉积工艺腔的内部的部件,上述化学气相沉积工艺腔部件的特征在于,上述部件为由包含铝元素的材质构成的三维物体,沿着上述部件的三维表面形成有无裂痕的氟化铝生成防止膜,上述氟化铝生成防止膜在上述部件的表面喷涂陶瓷粉而成,上述陶瓷粉包含钇或者由SiC、ZrO2、ZrC、TiO2、TiN、TiC、TiCN、TiCl2、HfO2中的一种以上的成分构成,上述氟化铝生成防止膜在上述部件的边角以及面部不产生脱离现象,在0~50℃的温度以及真空状态下,在上述部件的表面喷涂上述陶瓷粉来形成上述氟化铝生成防止膜。
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