[发明专利]光耦合装置在审
| 申请号： | 201580033269.2 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN106471629A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 新村雄一 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光耦合装置具备1次导电板、发光部、2次导电板、受光部和第1导电部。发光部设置于1次导电板，将电信号变换为光，并发出该光。2次导电板与1次导电板空开间隔，设置于与发光部对置的一侧。受光部设置于2次导电板使得与发光部对置，将来自发光部的光变换为电信号。第1导电部设置于与发光部对置的一侧，具有由于1次导电板与2次导电板之间的电位差而产生的电场集中的点。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 装置 | ||
【主权项】：
一种光耦合装置，具备：1次导电板；发光部，其设置于所述1次导电板，将电信号变换为光，并发出所述光；2次导电板，其与所述1次导电板空开间隔，设置于与所述发光部对置的一侧；受光部，其设置于所述2次导电板使得与所述发光部对置，并将来自所述发光部的光变换为电信号；和第1导电部，其设置于与所述发光部对置的一侧，具有由于所述1次导电板与所述2次导电板之间的电位差而产生的电场集中的点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
