[发明专利]多结太阳能电池

摘要

多结太阳能电池，其具有由InGaAs化合物制成的第一子电池和第二子电池，其中，第一子电池具有第一晶格常数，第二子电池设置有第二晶格常数，其中，第一晶格常数比第二晶格常数至少大并且此外设有变质缓冲区，其中，所述缓冲区构造在第一子电池与第二子电池之间，并且该变质缓冲区具有至少三个层的序列且在该序列中的晶格常数朝第一子电池的方向去地逐层提高，其中，缓冲区的层的晶格常数大于所述第二晶格常数，其中，变质缓冲区的一层具有第三晶格常数，并且在变质缓冲区与第一子电池之间构造有用于补偿变质缓冲区的残余张力的数目为N的补偿层，并且相应的补偿层的晶格常数比第一晶格常数小一个数值并且这些补偿层具有大于1％的铟含量，并且数目为N的补偿层的厚度被选择得适用公式(I)。Σn=1N(KOMDn×ΔAn)>10-19m2---(I)]]>

主权项

一种多结太阳能电池(MS)，其具有：第一子电池(SC1)，所述第一子电池由化合物构成，该化合物由InGaAs构成，其中，所述第一子电池(SC1)具有第一晶格常数(ASC1)；以及第二子电池(SC2)，所述第二子电池具有第二晶格常数(ASC2)，其中，所述第一晶格常数(ASC1)比所述第二晶格常数(ASC2)至少大以及变质缓冲区(MP1)，其中，所述缓冲区(MP1)构造在所述第一子电池(SC1)与所述第二子电池(SC2)之间，并且所述缓冲区(MP1)具有至少三个层的序列，并且在该序列中，晶格常数朝所述第一子电池(SC1)的方向逐层提高，并且所述缓冲区的层的晶格常数大于所述第二晶格常数(ASC2)，其中，所述变质缓冲区的第四层具有第四晶格常数(MP1A4)，并且所述第四晶格常数(MP1A4)大于所述第一晶格常数(ASC1)，其特征在于，在所述变质缓冲区(MP1)与所述第一子电池(SC1)之间构造有用于补偿所述变质缓冲区(MP1)的残余张力的数量为N的补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)，并且相应的补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)的晶格常数(A1，A2，...AN)比第一晶格常数(ASC1)小一个数值ΔAN，其中并且所述补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)具有大于1％的铟含量，并且所述数量为N的补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)的厚度(KOMD1，KOMD2，...KOMDN)这样地选择，使得适用：Σn=1N(KOMDn×ΔAn)>10-19m2]]>其中，KOMDn表示第n补偿层的厚度，所述数量N包括除零以外的自然数的集合。