[实用新型]GaP表面粗化的AlGaInP基LED有效
| 申请号： | 201521068093.8 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN205452332U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 徐洲;杨凯;何胜;李波;李俊承;林鸿亮;赵宇;徐培强;张永;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | GaP表面粗化的AlGaInP基LED，属于半导体技术领域，从下至上依次为背电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、DBR反射镜层、n型限制层、MQW多量子阱有源层、p型限制层、p型GaP窗口层和ITO电流扩展层和主电极；其特征在于p型GaP窗口层朝向ITO电流扩展层一侧呈粗化状，在p型GaP窗口层与ITO电流扩展层之间设置欧姆接触点。本实用新型可进一步提高AlGaInP基LED的出光效率，从而提高电光转换效率，LED材料本身吸收的光减少，发热量也相应减小，从而可以延长LED的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | gap 表面 algainp led | ||
【主权项】：
GaP表面粗化的AlGaInP基LED，从下至上依次为背电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、DBR反射镜层、n型限制层、MQW多量子阱有源层、p型限制层、p型GaP窗口层和ITO电流扩展层和主电极；其特征在于p型GaP窗口层朝向ITO电流扩展层一侧呈粗化状，在p型GaP窗口层与ITO电流扩展层之间设置欧姆接触点。
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