[实用新型]耐电磁辐射的晶体管自激逆变器

摘要

本实用新型公开的一种耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，旨在供一种空间占用小、电磁干扰小、使用寿命高的逆变器，本实用新型通过下述技术方案予以实现：在RCC电路中，以组合开关达林顿晶体管作为开关器件，采用取样电阻对电流进行取样，进行峰值电流保护，其中，晶体管Q2发射极串联达林顿管Q1基极组成组合开关达林顿管；达林顿管Q1发射极通过取样电阻R14和触发电容C3并联晶体管Q4的集电极，取样电阻R14一端电连接电源负极和电源负极与晶体管阵列Q5引脚10之间的电位器R15，一端通过二极管D2串联的电阻R8连接于晶体管阵列Q5；通过调节电位器R15的阻值，改变晶体管阵列Q5的引脚10电压值，进而改变晶体管阵列Q5引脚9电压调整阀值和改变取样电阻上的保护电流峰值。

主权项

一种耐电磁辐射的晶体管自激逆变器，其特征在于：在RCC电路中，以组合开关达林顿晶体管作为开关器件，采用取样电阻对电流进行取样，进行峰值电流保护，其中，晶体管Q2发射极串联达林顿管Q1基极组成组合开关达林顿管；达林顿管Q1发射极通过取样电阻R14和触发电容C3并联晶体管Q4的集电极，取样电阻R14一端电连接电源负极和电源负极与晶体管阵列Q5引脚10之间的电位器R15，一端通过二极管D2串联的电阻R8连接于晶体管阵列Q5，升压变压器T1的初级绕组L1一端连接二极管D9，另一端连接晶体管Q2和达林顿管Q1集电极的并联接点；升压变压器T1的反馈绕组L2一端连接电阻R1及其串联二极管D6和电阻R13的并联接点，另一端通过晶体管Q3的基极连接电阻R3和晶体管Q3的集电极电连接电阻R9和二极管D7并联接点，晶体管Q3的基极通过二极管D1并联电阻R2；次级绕组L3一端通过整流二极管D10和另一端连接储能电容器C4组成并联回路；通过调节电位器R15的阻值，改变晶体管阵列Q5的引脚10电压值，进而改变晶体管阵列Q5的引脚9电压调整阀值和改变取样电阻上的保护电流峰值，进一步稳定输出。