[实用新型]一种SiC外延法装置

摘要

本实用新型公开了一种SiC外延法装置，主要内容为：所述壳体底端中心设有安装孔，底盖安装在壳体底端安装孔里，下保温装置安装在底盖的顶面上，低温热源装置安装在下保温装置的顶面上，所述顶盖安装在壳体顶端，上保温装置安装在顶盖的底面上，高温热源装置安装在上保温装置的底面上，内多孔石墨筒上端安装在高温热源装置底端的圆柱凸台上，其下端安装在低温热源装置顶端的圆柱凸台上，外多孔石墨筒安装在内多孔石墨筒外圆柱面上，碳化硅粉末筒在内多孔石墨筒外圆柱面上，碳化硅籽晶安装在低温热源装置顶面的中心，碳化硅晶体安装在碳化硅籽晶的顶面上，低温热源装置、高温热源装置和内多孔石墨筒围成的空间内充满碳化硅蒸气。

主权项

一种SiC外延法装置，其特征在于：包括壳体、碳化硅粉末筒、低温热源装置、底盖、下保温装置、外多孔石墨筒、碳化硅籽晶、碳化硅晶体、内多孔石墨筒、上保温装置、顶盖和高温热源装置；所述壳体底端中心设有安装孔，所述底盖安装在壳体底端安装孔里，所述下保温装置安装在底盖的顶面上且位于壳体内，所述低温热源装置安装在下保温装置的顶面上且位于壳体内，所述顶盖安装在壳体顶端，所述上保温装置安装在顶盖的底面上且位于壳体内，所述高温热源装置安装在上保温装置的底面上且位于壳体内，所述内多孔石墨筒上端安装在高温热源装置底端的圆柱凸台上，其下端安装在低温热源装置顶端的圆柱凸台上，所述外多孔石墨筒安装在内多孔石墨筒外圆柱面上且其下端定位在低温热源装置上，所述碳化硅粉末筒在内多孔石墨筒外圆柱面上且其底面安装在外多孔石墨筒的顶面上，所述碳化硅籽晶安装在低温热源装置顶面的中心，所述碳化硅晶体安装在碳化硅籽晶的顶面上，低温热源装置、高温热源装置和内多孔石墨筒围成的空间内充满碳化硅蒸气。