[实用新型]一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器有效
| 申请号： | 201520221195.2 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN204481779U | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘义冬;曹海勇 | 申请（专利权）人： | 刘义冬 |
| 主分类号： | H03K7/00 | 分类号： | H03K7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用涉及一种脉冲调制器，更具体地说涉及一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，提升了P沟道MOSFET Q4的栅极电压，脉冲前后沿陡。电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器D1的输出端，电阻R4的一端接地。电阻R3的输出端连接在三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接在电阻R2的一端。电阻R1的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻R1的输出端。三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极。三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地。P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地。 | ||
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【主权项】：
一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，包括脉冲驱动器D1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、P沟道MOSFET Q4、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、负载RL、调制电压输出电路和高压电源VDC，其特征在于：电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器D1的输出端，电阻R4的一端接地；电容C2并联连接在电阻R3两端；电阻R3的输出端连接在三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接在电阻R2的一端；电阻R1的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻R1的输出端；三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极；三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地；P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地；电容C1的一端连接电源，一端接地。
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