[发明专利]一种防硫化片式厚膜固定电阻器及其制作方法在审
| 申请号： | 201511002308.0 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105427975A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 赵伟利;刘宏 | 申请（专利权）人： | 株洲宏达电通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/142;H01C17/065;H01C17/28 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 吴志勇 |
| 地址： | 412000 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防硫化片式厚膜固定电阻器及其制作方法。防硫化片式厚膜固定电阻器，包括陶瓷基片、面电极、背电极、端电极、电阻体、镀锡层、镀镍层、一次玻璃、二次玻璃、位于面电极上的镍铬隔离层。防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法，采用磁控溅射技术，在制作防硫化片式厚膜固定电阻器时，在印刷二次保护层之前，在面电极上溅射一层镍铬合金，以防止硫化气体从二次保护层与面电极之间缝隙进入后与面电极接触而产生硫化作用。本发明在银钯面电极上采用磁控溅射技术溅射上一层镍铬合金膜，从而达到片式厚膜固定电阻器防硫化的作用，提高了产品的性能、可靠性及使用寿命。本发明抗硫化能力强，面电极不容易硫化，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 片式厚膜 固定 电阻器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种防硫化片式厚膜固定电阻器，包括陶瓷基片、面电极、背电极、端电极、电阻体、镀锡层、镀镍层、一次玻璃、二次玻璃，其特征是，还包括位于面电极上的镍铬隔离层。
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