[发明专利]一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201510970708.4 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105514270A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 晏雨枫;李洋;李欣欣;吴晓丽;胡益丰;朱小芹;邹华;吴卫华;张建豪;眭永兴 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料，是由锗、锑、硒三种元素组成，Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料的化学通式为：GexSb(100-x)/2Se(100-x)/2，其中10<x<30。制备方法选自磁控溅射法、化学气相沉积。本发明的Ge-Sb-Se纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；具有较高的激活能，从而能够极大的改善PCRAM的热稳定性；Ge-Sb-Se相变材料中不含有有毒、易挥发的Te元素，因而相比传统的Ge2Sb2Te5材料，对人体和环境的影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge sb se 纳米 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种Ge‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述Ge‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料是由锗、锑、硒三种元素组成。
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