[发明专利]具有改进的磁晶粒尺寸分布和晶间偏析的磁介质有效

专利信息
申请号: 201510854452.0 申请日: 2015-11-30
公开(公告)号: CN105654968B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: K·斯里尼瓦桑;T·李;M·德赛 申请(专利权)人: 西部数据传媒公司
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/31;G11B5/60
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民;尚晓芹
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及具有改进的磁晶粒尺寸分布和晶间偏析的磁介质。方法和系统提供在磁存储设备中可使用的磁记录介质。磁记录介质包括基底、至少一个中间层和用于存储磁数据的磁记录堆栈。中间层(一个或多个)包括具有第一扩散常数的主要相和具有大于第一扩散常数的第二扩散常数的第二相。磁记录堆栈停留在中间层上,使得至少一个中间层在基底和磁记录堆栈之间。
搜索关键词: 具有 改进 晶粒 尺寸 分布 偏析 介质
【主权项】:
1.一种在磁存储设备中可使用的磁记录介质,所述磁记录介质包括:基底;至少一个中间层,所述中间层具有主要相和第二相,所述主要相具有第一扩散常数,所述第二相具有大于所述第一扩散常数的第二扩散常数,所述至少一个中间层包括第一中间层、第二中间层和第三中间层,所述第二中间层在所述第一中间层和所述第三中间层之间,所述第一中间层、所述第二中间层和所述第三中间层中的每个包括Ru,所述第二中间层和所述第三中间层中的至少一个具有所述主要相和所述第二相,所述第一中间层包括Ru和Co,其中所述第一中间层进一步包括Mo、Nb、W、Al、Be、C、Dy、Gd、Ge、Ho、Lu、Nd、Pd、Sm、Tb、Y或Zr中的至少一种;和用于存储磁数据的磁记录堆栈,所述磁记录堆栈停留在所述第三中间层上,使得所述至少一个中间层在所述基底和所述磁记录堆栈之间。
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