[发明专利]智能保护的元件及制成工艺在审

专利信息
申请号: 201510620226.6 申请日: 2015-09-26
公开(公告)号: CN105280316A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 周云福;张广;李燕华;周全;王祖江 申请(专利权)人: 广东百圳君耀电子有限公司
主分类号: H01C7/02 分类号: H01C7/02;H01C1/02;H01C1/14;H01C17/00;H01C17/02
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 523000 广东省东莞市松山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种智能保护的元件及制成工艺,深掘PPTC材料的特性实现对过电流或高温时智能调整为高电阻加以控制电路尔后复原,做到连续挤出延压及平稳电性的优质出品,结合PCB工艺实现生产高稳化,由此确保元件实现异常智能高速调节和应用智能低变阻。
搜索关键词: 智能 保护 元件 制成 工艺
【主权项】:
1.一种智能保护的元件,其特征在于包括:PPTC复合材料芯片和上下端面层叠的至少一个绝缘层及至少一个电极层;所述PPTC复合材料芯片,包括PPTC复合材料层、芯片第一保护层和芯片第二保护层,芯片第一保护层和芯片第二保护层层叠PPTC复合材料层的表面并相互粘结;其中,电极层包括单个芯片保护层或芯片保护层与至少一个元件保护层用至少一个通孔贯穿元件表面达到电连接组合;所述的PPTC复合材料层为炭黑、石墨烯及复合材料中的一种或几种,按质量百分比,2%-10%的石墨烯,20-80%的炭黑,10-40%的其他复合材料,各材料的组分之和为100%;所述的芯片保护层为金属铜或铜箔,厚度介于10-55μm;所述的芯片保护层蚀刻比例区域达到电气隔绝后形成芯片引用电极;芯片引用电极包括芯片第一引用电极和芯片第二引用电极,各自亦可再分割为至少一个部分;所述的绝缘层为单个电气绝缘层或多个不同体积电气绝缘层的组合;所述的电气绝缘层包括第一电气隔绝层和第二电气隔绝层;所述的元件保护层包括元件第一保护层和元件第二保护层,元件保护层位于元件外表面,界面积介于0.57-2.8 mm²;所述的元件保护层经过蚀刻,各自亦可再分割分割为至少一个部分;所述的通孔包括第一通孔组和第二通孔组;第一通孔组和第二通孔组从元件的一表面贯穿至元件的另一表面,元件保护层与芯片引用电极电连接形成元件第一引用电极和元件第二引用电极;该智能保护的元件采用以下制成工艺进行制备,具体的,一种智能保护的元件制成工艺,其包括以下步骤:a.PPTC复合材料初步处理:将PPTC复合材料层材料放进真空干燥机在80°-100°的环境下进行10-12H的干燥,PPTC复合材料层材料为炭黑、石墨烯及复合材料中的一种或几种,干燥后再将所述炭黑、石墨烯、复合材料按照20-80%、2%-10%、10-40%的重量比配比进行称料并按照0.8-1.2H的时间进行混料,以确保达到均匀效果;b.PPTC复合材料密炼:将初步处理后的PPTC复合材料于160°的温度条件下经同向双螺杆挤出造粒机,呈现颗粒状;炼料完成时,再PPTC复合材料进行粉粹均匀;c.PPTC复合材料成型:将PPTC复合材料搅拌均匀通过抽空挤出,以延压机延压成片型板材,延压时上下粘结芯片保护层,所述芯片保护层通过放卷装置自动放卷,得到PPTC复合材料芯片,厚度为0.1-0.8mm;d.开菲林片:PPTC复合材料芯片冷却后,切割左右边缘,使得板材宽度为200mm;e.微电脑切片:成片板材冷却后进行冲切,切割为300mm×200mm芯片;f.辐照交联:用钴源或电子束辐照交联,辐照量为5-100Mrad;g.实现线路板:以公布的PCB工艺进行加工,实现芯片保护层蚀刻为芯片引用电极,压合元件绝缘层和元件保护层,再对元件保护层进行蚀刻及利用通孔进行电连接,形成元件引用电极,并于表面进行电镀保护;h.后处理工艺:进行切割元件表面的边沿,再在线路板表面进行贴膜并划片成为单体。
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