[发明专利]用于光源-掩膜优化的图形选择方法有效
| 申请号： | 201510572327.0 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN106528899B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 裴金花 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于光源‑掩膜优化的图形选择方法。所述图形选择方法包括：计算多个特征图形中每个特征图形的功率谱密度；基于所计算的每个特征图形的功率谱密度计算所述多个特征图形中任意两个特征图形之间的差异度；以及在所述多个特征图形中选择彼此之间所述差异度大于或等于预定阈值的特征图形作为测试图形，以用于光源‑掩膜优化。本发明所提供的用于光源‑掩膜优化的图形选择方法可以高效快速地选择用于光源‑掩膜优化的测试图形，同时不会遗漏任何关键图形，从而实现高效、高精确度的光源‑掩膜优化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光源 优化 图形 选择 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于光源‑掩膜优化的图形选择方法，其特征在于，所述图形选择方法包括：计算多个特征图形中每个特征图形的功率谱密度；基于所计算的每个特征图形的功率谱密度计算所述多个特征图形中任意两个特征图形之间的差异度；以及在所述多个特征图形中选择彼此之间所述差异度大于或等于预定阈值的特征图形作为测试图形，以用于光源‑掩膜优化；其中，所述基于所计算的每个特征图形的功率谱密度计算所述多个特征图形中任意两个特征图形之间的差异度进一步包括：基于所计算的每个特征图形的功率谱密度计算所述多个特征图形中任意两个特征图形之间的矢量余弦角距离。
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