[发明专利]一种基于忆阻器阵列的WTA神经网络及其应用有效

专利信息
申请号: 201510536723.8 申请日: 2015-08-27
公开(公告)号: CN105160401B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 于永斌;刘兴文;胡青青;门乐飞;杨辰宇;李成;邓建华;张容权;蔡竟业 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063
代理公司: 电子科技大学专利中心51203 代理人: 张杨
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于神经网络技术领域,涉及一种基于忆阻器阵列的WTA神经网络及其应用。通过忆阻器阵列设计实现该WTA神经网络及其应用即分类器模型,并由此提出可用于皮肤病特征的分类识别方法。其中,WTA模型由忆阻器,MOSFET,电容器,电阻器和电源构成,在此基础上,导出基于忆阻器阵列WTA神经网络的分类器。其目的是用忆阻器来实现WTA神经网络及其分类器,探索忆阻器在神经网络及其医学决策的应用。与传统WTA神经网络对比,本发明使用忆阻器阵列设计的分类器具有优良的性能,可以将其应用于医学疾病分类等领域。
搜索关键词: 一种 基于 忆阻器 阵列 wta 神经网络 及其 应用
【主权项】:
一种基于忆阻器阵列的WTA神经网络,最少具有两个神经元,其特征在于:每个神经元都是由忆阻器、MOS管、电容器、电阻器和直流电源构成的;对于具有N个神经元的网络,每个神经元由N‑1个忆阻器、N‑1个MOS管、N‑1个直流电源、一个电阻以及一个电容组成,其中N≥2且每个忆阻器的一端接地,另外一端分别与其它N‑1个神经元的输入相连,每个MOS管的源极连接到输入端,栅极分别连接到其它N‑1个神经元的输入端,漏极分别与N‑1直流电源串联后接地,电阻与电容并联,一端连接到输入端,另外一端接地;该神经网络的输入是电流,输出是电压。
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