[发明专利]一种运算放大器在审
申请号: | 201510435783.0 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN106712731A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 张辉;高远;王海军;李丹;丁学欣 | 申请(专利权)人: | 上海贝岭股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/38 | 分类号: | H03F1/38;H03F3/45 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人: | 刘锋,冯丽 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种运算放大器,包括第一级放大模块以及第二级放大模块;第一级放大模块具备作为输入管的第一MOS管和第二MOS管;电流缓冲器;第一负载,第一负载连接在所电源和第一中间节点、第二中间节点之间,用于提高输出阻抗;第二级放大模块包括作为输入管的第五BJT管和第六BJT管;正向反馈模块,正向反馈模块具备第三BJT管和第四BJT管;第二负载,连接在电源和正向输出端以及反向输出端之间。能够为模数转换电路产生余量输出,通过双极型晶体管(BJT管)和CMOS晶体管的BiCMOS工艺实现能够提高整个ADC电路的稳定性和速度。本发明采用了两级运放结构,具有大的信号摆幅,非常适合在低电源电压下工作。 | ||
搜索关键词: | 一种 运算放大器 | ||
【主权项】:
一种运算放大器,包括正向输入端、反向输入端、正向输出端以及反向输出端,其特征在于,还包括第一级放大模块以及第二级放大模块;所述第一级放大模块具备:作为输入管的第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管的栅极连接至所述正相输入端,其源极接地,所述第二MOS管的栅极连接至所述反向输入端,其源极接地;电流缓冲器,所述电流缓冲器包括第一BJT管和第二BJT管,所述第一BJT管的发射极与所述第一MOS管的漏极相连接,其集电极连接至第二中间节点;所述第二BJT管的发射极与所述第二MOS管的漏极相连接,集电极连接至第一中间节点,所述第一BJT管和所述第二BJT管的基极共同连接至偏置电压端;第一负载,所述第一负载连接在所电源和所述第一中间节点、所述第二中间节点之间,用于提高输出阻抗;所述第二级放大模块包括:作为输入管的第五BJT管和第六BJT管,所述第五BJT管的基极与所述第一中间节点相连接,其发射极接地,其集电极连接至所述反向输出端,所述第六BJT管的基极与所述第二中间节点相连接;正向反馈模块,所述正向反馈模块具备第三BJT管和第四BJT管,所述第三BJT管的基极与所述第一中间节点相连接,其集电极与所述第二中间节点相连接,其发射极接地,所述第四BJT管的基极与所述第二中间节点相连接,其集电极与所述第一中间节点相连接,其发射极接地;第二负载,连接在电源和所述正向输出端以及所述反向输出端之间。
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