[发明专利]一种透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺

摘要

一种透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺，属于太阳能电池加工技术领域。在底电极（200）上刻划透光沟槽（5），透光沟槽（5）两侧的底电极（200）为第一底电极（201）和第二底电极（202）；在底电极（200）上镀吸光层（300）；在吸光层（300）上刻划串联沟槽（6）；在吸光层（300）上镀上电极（500），透光沟槽（5）和串联沟槽（6）使上电极（500）与第一底电极（201）连通，同时使上电极（500）与第二底电极（202）断开；在第一底电极（201）上侧的上电极（500）上刻划绝缘沟槽（7）。在电池薄膜的中部形成透光区域，而且透光区域内的上电极串联底电极，在透光的同时还能将电池薄膜连接成一个整体。

主权项

一种透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）、铺设基板（1）；2）、在基板（1）上镀电池薄膜（2）；3）、封装；其中步骤2）具体包括以下步骤：201）、在基板（1）上镀底电极（200），在底电极（200）上刻划透光沟槽（5），透光沟槽（5）两侧的底电极（200）为第一底电极（201）和第二底电极（202）；202）、在底电极（200）上镀吸光层（300）；203）、在吸光层（300）上刻划串联沟槽（6）；204）、在吸光层（300）上镀上电极（500），透光沟槽（5）和串联沟槽（6）使上电极（500）与第一底电极（201）连通，同时使上电极（500）与第二底电极（202）断开；205）、在第一底电极（201）上侧的上电极（500）上刻划绝缘沟槽（7）；所述步骤203）具体方法为：在吸光层（300）上镀缓冲层（400），在第一底电极（201）靠近透光沟槽（5）一侧的吸光层（300）和缓冲层（400）上、透光沟槽（5）靠近第一底电极（201）一侧的吸光层（300）和缓冲层（400）上刻划串联沟槽（6），串联沟槽（6）与第二底电极（202）之间的透光沟槽（5）内具有吸光层（300）；所述缓冲层（400）的厚度为30~100nm。