[发明专利]太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法有效
| 申请号： | 201510149501.0 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104678598B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张会;徐先锋 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266580 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法。该太赫兹调制器包括铜谐振环阵列(1)、二氧化钒薄膜(2)、二氧化硅基底(3)、宽带太赫兹源(4)和泵浦激光源(5)，其中，铜谐振环阵列(1)和二氧化硅基底(3)形成超材料，二氧化钒薄膜(2)镀在二氧化硅基底(3)的后表面。本发明实施的太赫兹调制器可以实现光控高速宽带太赫兹强度调制。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 调制器 制备 方法 调谐 | ||
【主权项】：
一种太赫兹调制器，其特征在于，包括：铜谐振环阵列(1)、二氧化钒薄膜(2)、二氧化硅基底(3)、宽带太赫兹源(4)和泵浦激光源(5)，其中，所述铜谐振环阵列(1)和所述二氧化硅基底(3)形成超材料，所述二氧化钒薄膜(2)镀在所述二氧化硅基底(3)的后表面。
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