[发明专利]晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法和监测装置在审
| 申请号： | 201510128230.0 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN104716069A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 沈茜;莫保章 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法，包括：提供一监测晶圆并检测该监测晶圆的缺陷颗粒数量；将所述监测晶圆置入所述晶圆可接受性测试机台，对该监测晶圆模拟N次晶圆可接受性测试，其中N等于待进行所述晶圆可接受性测试的所有晶圆的数量且N为大于等于2的正整数；检测所述监测晶圆的缺陷颗粒数量；根据对监测晶圆模拟N次晶圆可接受性测试前后得到的监测晶圆的缺陷颗粒数量的差值判断晶圆可接受性测试机台的内部环境是否正常。本发明能够有效模拟机台正常测试时的内部环境情况，从而更有效、更严格地控制机台内部环境。 | ||
| 搜索关键词： | 可接受性 测试 机台 内部 环境 监测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一监测晶圆并检测该监测晶圆的缺陷颗粒数量；S2：将所述监测晶圆置入所述晶圆可接受性测试机台，对该监测晶圆模拟N次晶圆可接受性测试，其中N等于待进行所述晶圆可接受性测试的所有晶圆的数量且N为大于等于2的正整数；S3：检测所述监测晶圆的缺陷颗粒数量；S4：根据所述步骤S3和所述步骤S1得到的监测晶圆的缺陷颗粒数量的差值判断所述晶圆可接受性测试机台的内部环境是否正常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
