[发明专利]薄膜晶体管基板及其显示面板有效
申请号: | 201510085288.1 | 申请日: | 2015-02-17 |
公开(公告)号: | CN105990332B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种薄膜晶体管基板及其显示面板,该显示面板包括:基板;第一金属层,位于基板上,包括栅极,以及连接栅极的栅极线;第一绝缘层,位于第一金属层上;平坦化层,位于第一绝缘层上;开口,由平坦化层的侧壁与第一绝缘层的表面所定义,开口与栅极重叠;有源层,位于开口与平坦化层上;以及第二金属层,位于有源层上,包括接触有源层的源极,以及连接源极的数据线;其中平坦化层与第一绝缘层位于数据线与栅极线之间。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板,包括:基板;第一金属层,位于该基板上,包括栅极,以及连接该栅极的栅极线;第一绝缘层,位于该第一金属层上;平坦化层,位于该第一绝缘层上;开口,由该平坦化层的侧壁与该第一绝缘层的表面所定义,该开口与该栅极重叠;有源层,位于该平坦化层上且覆盖该开口;以及第二金属层,位于该有源层上,包括接触该有源层的源极,以及连接该源极的数据线;其中该平坦化层与该第一绝缘层位于该数据线与该栅极线之间,其中该有源层包含位于该第一绝缘层的表面上的第一部分,以及位于该平坦化层上的第二部分,其中该第二金属层接触该有源层的第二部分,其中该有源层的第一部分为金属氧化物半导体,而该有源层的第二部分为金属氧化物导体;其中该平坦化层是由氮化硅或富含氢的绝缘材料所组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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