[发明专利]二氧化氮气体传感器及其制备和测试方法在审
| 申请号： | 201510035404.9 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104677966A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 谢光忠;解涛;杜鸿飞;黄俊龙;杜晓松;太惠玲;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二氧化氮气体传感器及其制备和测试方法，传感器结构为有机薄膜场效应晶体管，包括栅电极、衬底、氧化栅层、源电极和漏电极、有源层，有源层为ZnO纳米棒和P3HT聚合物复合形成的复合材料薄膜；制备方法步骤为：①采用低温水热法制备ZnO纳米棒；②采用喷涂成膜的方法将P3HT-ZnO复合材料沉积在源电极漏电极，其中ZnO纳米棒与P3HT聚合物接触，形成异质结结构；该传感器有效地提高了OTFT器件的迁移率和气体传感器对待测气体的响应，成膜工艺简单，生产成本低，利于FET器件的电学性能提高，通过形成的异质结结构对待测气体分子吸附在异质结界面处会对界面处的势垒产生变化来有效地提高气体传感器的响应。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化氮 气体 传感器 及其 制备 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化氮气体传感器，其结构为有机薄膜场效应晶体管，包括栅电极、衬底，氧化栅层、源电极和漏电极、有源层，其中衬底为硅衬底，氧化栅层为二氧化硅，源电极、栅电极和漏电极为金电极，其特征在于：有源层为ZnO纳米棒和P3HT聚合物复合形成的复合材料薄膜。
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