[发明专利]一种微向下提拉晶体生长炉

摘要

本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为19的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够进一步提高晶体生长的成品率。

主权项

一种微向下提拉晶体生长炉，其特征在于，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，其中：所述上部绝热层由内到外依次包括内层绝热层(9)和中间绝热层；所述内层绝热层呈圆筒形，其内部设置有坩埚；所述中间绝热层包括中间绝热壁(8)和中间绝热盖(7)，所述中间绝热壁为两端开口的圆筒形，所述中间绝热盖位于该圆筒形的顶部；所述内层绝热层(9)和中间绝热壁均设置在所述底部绝热层(13)的顶表面上方，所述内层绝热层(9)和中间绝热壁的中心轴线均垂直于所述底部绝热层(13)的顶表面；所述底部绝热层(13)的中心设置有籽晶杆(14)，所述籽晶杆(14)的轴向方向垂直于所述底部绝热层(13)的顶表面；所述底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，所述观察孔(4)呈管状，其中心轴线与所述底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为45°～60°，该观察孔(4)的孔径为5mm以上；此外，在所述底部绝热层(13)与所述上部绝热层之间，还设置有底部绝热支撑(11)，所述底部绝热支撑(11)采用以下材料中的至少一种：钨、钼；所述微向下提拉晶体生长炉还设置有外层绝热层，该外层绝热层包括外层绝热壁(5)和外层绝热盖(1)；所述外层绝热壁为圆筒形，包围所述中间绝热壁(8)，并且其中心轴线垂直于所述底部绝热层(13)顶表面所在平面；所述外层绝热盖位于所述外层绝热壁的上方，并且呈平板状，其所在平面的法线方向垂直于所述底部绝热层(13)顶表面；所述外层绝热壁还包围所述底部绝热层(13)，并且在所述外层绝热壁与底部绝热层(13)之间还设置有石英圆管(2)；在所述底部绝热层(13)内还设置有多个水冷管道(12)，所述多个水冷管道(12)相互呈同心圆设置；该微向下提拉晶体生长炉用于生长晶体生长温度超过2000℃的材料。