[发明专利]一种竖直阵列石墨烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510010672.5 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104609405B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘建影;黄时荣 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;C09K5/14 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种竖直阵列石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤a）制备氧化石墨烯溶液；b）将氧化石墨烯溶液涂覆在基板上；c）氧化石墨烯通过强还原剂还原成石墨烯薄膜；d）将石墨烯薄膜在设计模子里裁剪并折叠成竖直排列的石墨烯薄膜；e）用粘结剂固化竖直阵列石墨烯薄膜；f）对竖直阵列石墨烯薄膜表面抛光，以获取与器件表面更好的接触，最后填入聚合物胶，用于改良石墨烯薄膜层间接触。本发明制备的竖直阵列石墨烯薄膜能应用于高功率电子器件领域，如用作界面散热材料提供散热解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 竖直 阵列 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种竖直阵列石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a）制备氧化石墨烯溶液；b）将氧化石墨烯溶液涂覆在基板上；c）氧化石墨烯通过强还原剂还原成石墨烯薄膜；d）将石墨烯薄膜在设计模子里裁剪并折叠成竖直排列的石墨烯薄膜；e）用粘结剂固化竖直阵列石墨烯薄膜，固化时间范围是4h‑12h，温度范围是20‑120℃；f）对竖直阵列石墨烯薄膜表面抛光，以获取与器件表面更好的接触，最后填入聚合物胶，用于改良石墨烯薄膜层间接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510010672.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
