[发明专利]一种非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201510010198.6 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104556014B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 魏大程;彭兰;李孟林;蔡智;曹敏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于碳材料的技术领域，具体为一种临界条件下在非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法。该掺杂石墨烯是采用等离子体增强化学气相沉积法制备的，包括以下步骤将干净衬底放入无氧的反应器中，使衬底的温度达到某种临界条件，然后向所述反应器中通入含有碳元素和掺杂元素物质经过等离子发生器处理得到的等离子体，最后在衬底表面得到掺杂石墨烯；其中，所述衬底为非金属衬底。本发明制备的掺杂石墨烯质量好，可以直接在非金属介电表面生长，反应温度低，制备方法操作方便，可用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非金属 表面 低温 制备 掺杂 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法，其特征在于是采用等离子体增强化学气相沉积法，具体制备步骤如下：(1) 将洁净的非金属衬底放置在离子体增强化学气相沉积装置反应室中，抽真空；(2) 将反应室加热至温度为400～900℃，通入含有碳元素和掺杂元素的反应前驱体，并保持碳原子与掺杂原子的摩尔比为1:10～1000:1，打开等离子发生器并保持2～2000分钟进行反应；(3) 冷却至室温后，在非金属衬底表面制得掺杂石墨烯；所述衬底为二氧化硅、硅、石墨烯、六方氮化硼、高定向热解石墨、三氧化二铝、云母、氮化硅或氮化硼。
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