[发明专利]电子束交错的束孔阵列有效
| 申请号： | 201480078802.2 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106415775B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01J37/30 | 分类号： | H01J37/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)包括沿着第一方向并且具有节距的第一列的开口。BAA还包括沿着第一方向并且与第一列的开口交错开的第二列的开口。第二列的开口具有所述节距。BAA的扫面方向沿着与第一方向正交的第二方向。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 交错 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种用于电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)，所述BAA包括：第一列的开口，所述第一列的开口沿着第一方向并且具有节距；以及第二列的开口，所述第二列的开口沿着所述第一方向并且与所述第一列的开口交错开，所述第二列的开口具有所述节距，其中，所述BAA的扫描方向沿着与所述第一方向正交的第二方向，其中，当沿着所述第二方向进行扫描时，所述第一列的开口中的所述开口与所述第二列的开口中的所述开口对准或略微交叠。
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