[发明专利]光发电装置有效

申请号：	201480017109.4	申请日：	2014-03-14
公开（公告）号：	CN105103307B	公开（公告）日：	2017-05-24
发明（设计）人：	小林英治	申请（专利权）人：	长州产业株式会社
主分类号：	H01L31/0747	分类号：	H01L31/0747;H01L31/20
代理公司：	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290	代理人：	周善来,李雪春
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明的目的是提供填充因子高的光发电装置。光发电装置(10)包括多层状的光伏元件(11)；以及层叠在光伏元件(11)的一个面上的第一集电构件(12)和层叠在另一个面上的第二集电构件(13)，光伏元件(11)包括n型晶体半导体基板(14)；依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第一集电构件(12)侧的第一本征非晶系硅薄膜(15)、p型非晶系硅薄膜(16)和第一透明导电膜(17)；依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第二集电构件(13)侧的n型非晶系硅薄膜(19)和第二透明导电膜(20)，p型非晶系硅薄膜(16)的膜厚小于6nm，第一透明导电膜(17)表面中的第一集电构件(12)的非层叠区域(25)的最大宽度小于2mm。
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【主权项】：

一种光发电装置，其具备：多层状的光伏元件；以及层叠在所述光伏元件的一个面上的第一集电构件和层叠在另一个面上的第二集电构件，所述光伏元件具有：n型晶体半导体基板；依次层叠在所述n型晶体半导体基板的所述第一集电构件侧的第一本征非晶系硅薄膜、p型非晶系硅薄膜和第一透明导电膜；以及依次层叠在所述n型晶体半导体基板的所述第二集电构件侧的n型非晶系硅薄膜和第二透明导电膜，所述第一集电构件具有：多个母线电极I，以彼此平行的方式形成；以及多个指状电极I，与所述母线电极I连接，以彼此平行的方式形成，所述第二集电构件具有：多个母线电极II，以彼此平行的方式形成；以及多个指状电极II，与所述母线电极II连接，以彼此平行的方式形成，所述光发电装置的特征在于，所述p型非晶系硅薄膜的膜厚为1nm以上且小于5nm，所述第一透明导电膜表面中的所述第一集电构件的非层叠区域的最大宽度小于2mm，所述指状电极I的间隔为0.1mm以上且小于2mm，所述n型非晶系硅薄膜的膜厚为3nm以上且为10nm以下，所述指状电极II的间隔大于2mm且为4mm以下。

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摘要：本发明提供一种不期望的金属的析出及金属向硅基板内的扩散等得到抑制、且在背面侧的整个面上形成了镀金属电极层的晶体硅系太阳能电池。本发明的晶体硅系太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)及图案集电极(11)，在第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)及镀金属电极(21)。在第一主面的周边具有除去了第一透明电极层(4)和第二透明电极层(9)间的短路的绝缘区域。镀金属电极(21)形成于第二透明电极层(9)上的整个区域。

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摘要：本发明的HBC型晶体太阳能电池的制造方法，使用具有非受光面、且由第一导电型的晶体硅构成的基板，以覆盖所述基板的所述非受光面的方式，形成i型非晶Si层，对于所述非晶Si层，通过使用了掩模的杂质导入法，将与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位形成在彼此分离的位置，对导入杂质后的所述非晶Si层实施退火处理。形成所述第一部位及所述第二部位的工序包括：第一步，形成所述第一部位的指状部；第二步，形成所述第一部位的汇流条部；第三步，形成所述第二部位的指状部；及第四步，形成所述第二部位的汇流条部。

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发明人：田中美和;酒田现示;三浦真;山崎嘉文;横尾秀和;西桥勉;山口昇 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明的HBC型晶体太阳能电池具备：基板，具有光入射的第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面，由显现光电转换功能的第一导电型的晶体硅构成；和i型非晶Si层，被配设为覆盖所述基板的所述第二面。与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位以存在于所述非晶Si层的内部且一部分露出于所述非晶Si层的外表面侧的方式被配置为彼此分离。

光电转换装置-201580012504.8
发明人：原田真臣;酒井敏彦;菅沼利人;辻埜和也;国吉督章;神川刚 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。

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发明人：广瀬浩一;松原义宏;川本训裕 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：太阳能电池(10)包括作为一个导电型具有n型的导电型的结晶衬底(11)；n型半导体层(12)，其与结晶衬底(11)的一个主面的受光面和结晶衬底(11)的侧面相连地层叠；p型半导体层(13)，其与作为结晶衬底(11)的另一主面的背面和结晶衬底(11)的侧面相连地层叠，在结晶衬底(11)的侧面与n型半导体层(12)至少一部分重叠；受光面侧的透明导电膜(14)，其在结晶衬底(11)的受光面上层叠n型半导体层，具有比结晶衬底(11)的平面形状小的面积；和与p型半导体层(13)层叠的背面侧的透明导电膜(15)。

光伏元件及其制造方法-201480016801.5
发明人：小林英治 -专利权人：长州产业株式会社
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供一种具有足够的填充因数且能控制制造成本的光伏元件及其制造方法。所述光伏元件(10)包括n型结晶半导体基板(11)、在n型结晶半导体基板(11)的一侧层叠的p型非晶质系硅薄膜(13)、以及在n型结晶半导体基板(11)的另一侧层叠的n型非晶质系硅薄膜(15)，所述光伏元件(10)具有存在于n型结晶半导体基板(11)和p型非晶质系硅薄膜(13)之间的本征非晶质系硅薄膜(12)，n型结晶半导体基板(11)和n型非晶质系硅薄膜(15)直接接合，n型非晶质系硅薄膜(15)侧被用作光入射面。

硅异质结太阳能电池-201480033930.5
发明人： J·夸尼斯 -专利权人：原子能和能源替代品委员会
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明涉及一种硅异质结太阳能电池，其相继地包括掺杂的晶体硅衬底(1)；钝化层(2a)；与衬底(1)的掺杂类型相反的掺杂的非晶硅层(2b)；以及透明导电材料层(3)；所述电池的特征在于，在衬底(1)与钝化层(2a)之间，所述电池包括具有所谓“高少数载流子迁移率”的晶体材料的层(5)，在该层中，衬底(1)少数载流子的迁移率(μm)大于所述少数载流子在衬底(1)中的迁移率。本发明还涉及制造这种太阳能电池的工艺。

光发电装置-201480017109.4
发明人：小林英治 -专利权人：长州产业株式会社
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明的目的是提供填充因子高的光发电装置。光发电装置(10)包括多层状的光伏元件(11)；以及层叠在光伏元件(11)的一个面上的第一集电构件(12)和层叠在另一个面上的第二集电构件(13)，光伏元件(11)包括n型晶体半导体基板(14)；依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第一集电构件(12)侧的第一本征非晶系硅薄膜(15)、p型非晶系硅薄膜(16)和第一透明导电膜(17)；依次层叠在n型晶体半导体基板(14)的第二集电构件(13)侧的n型非晶系硅薄膜(19)和第二透明导电膜(20)，p型非晶系硅薄膜(16)的膜厚小于6nm，第一透明导电膜(17)表面中的第一集电构件(12)的非层叠区域(25)的最大宽度小于2mm。

光伏发电元件及其制造方法-201480025001.X
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申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：在作为半导体基板的n型单晶硅基板1的与光入射面相反一侧的面，在第1导电类型非晶质半导体膜(n型非晶硅层5)上具备载流子浓度低的第1导电性半导体膜(第1氧化铟层9)，在其上具备载流子浓度高的第2导电性半导体膜(第2氧化铟层10)，在载流子浓度低的第1导电性半导体膜中具备绝缘性微粒8。由此，即使使光发生散射而延长光程长度，也不引起导电性半导体膜中的吸收且没有损失，能够同时实现红外吸收的抑制和由有效的散射带来的光程长度的增大，不导致电气特性的劣化，在100μm以下的薄型半导体基板的情况下，也能够得到高的变换效率。

光电转换元件-201480008353.4
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摘要：一种光电转换元件，包括半导体、在半导体上设置且含有氢化非晶硅的本征层、覆盖本征层的一部分且含有第一导电型的氢化非晶硅的第一导电型层、含有第二导电型的氢化非晶硅的第二导电型层以及覆盖第一导电型层的端部区域的绝缘膜，第二导电型层的端部位于绝缘膜上或者绝缘膜上方。

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摘要：在n型硅基板1的第1主面(1A)、侧面(1C)以及第2主面(1B)的周缘部处具备第1非晶硅i层(2)和非晶硅p层(4)。另一方面，在第1主面(1A)和侧面(1C)上具有第1ITO层(6)，在第2主面(1B)上具备第2非晶硅i层(3)和非晶硅n层(5)，在其上残留周缘部而具有面积比n型硅基板(1)小的第2ITO层(7)。而且，在第2主面(1B)上的周缘部处，具有将第1非晶硅i层(2)、非晶硅p层(4)、第2非晶硅i层(3)、非晶硅n层(5)按该顺序层叠的构造。因而，不需要追加的工艺而能够分离第1ITO层(6)和第2ITO层(7)，能够防止泄漏电流。而且，在端部处也确保各个膜的顺序，正常地维持电荷的流动，由此能够发挥集电效果并发挥电池功能，使有效面积最大。

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摘要：一种光电转换元件，包括在第一导电型的半导体上设置且含有氢化非晶硅的本征层、覆盖本征层的一部分且含有第一导电型的氢化非晶硅的第一导电型层、含有第二导电型的氢化非晶硅的第二导电型层以及绝缘层，第一电极经由第二导电型层设置在第一导电型层上，并且，第一电极的至少一部分位于第一导电型层和本征层相接的区域的上方，第二电极的至少一部分位于第二导电型层和本征层相接的区域的上方。

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摘要：本发明提供一种光伏装置，其具备半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面上的i型非晶质层（12i）、形成在i型非晶质层（12i）上的p型非晶质层（12p）、形成在半导体基板（10）的背面上的i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（16i）上的n型非晶质层（16n），在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度台阶状地减少的氧浓度分布，i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度比i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度高。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]光发电装置有效

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