[实用新型]直拉硅单晶热场

摘要

本实用新型公开了一种直拉硅单晶热场，其包括炉体、炉体内设置的石墨坩埚和加热器；加热器将石墨坩埚围在其中；在加热器外套装设有保温筒，在保温筒上有环形的大盖板，大盖板的内环上架设有导流筒；所述加热器高度H为672-680mm；所述石墨坩埚内径D为670-674mm。所述导流筒下口与水平角度α为29-31°，所述导流筒内导角度β为27-31°。优点在于：单炉投料量增大，单晶成本降低；导流筒下口与水平角度增大，使导流筒和生长界面上方的氩气流通顺畅，避免气流漩涡，提高成晶率；导流筒内导设计角度增大，可加厚导流筒内、外间的保温层，有效降低热系统的能量损耗、降低加热器的发热功率，达到节能效果。

主权项

直拉硅单晶热场，其包括炉体、炉体内设置的石墨坩埚和加热器，所述石墨坩埚为三瓣埚，位于所述炉体的中部；在所述石墨坩埚的埚底固定连接有石墨大轴，所述石墨大轴向下伸出炉体底部的炉底盘；在所述炉底盘上设有用于保护所述石墨大轴的护套；在所述炉底盘上设有连接电源的电极柱，在所述电极柱的外面包覆有用于保护所述电极柱的石英护套和电极护套；所述电极柱的上端连接有筒状的所述加热器，所述加热器将所述石墨坩埚围在其中，在所述加热器外套装设有保温筒，在所述保温筒上有环形的大盖板，所述大盖板的内环上架设有导流筒；其特征在于，所述加热器高度H为672‑680mm；所述石墨坩埚内径D为670‑674mm,所述导流筒下口与水平角度α为29‑31°，所述导流筒内导角度β为27‑31°。