[实用新型]一种倒置生长InAlAsP/InGaAs/Ge三结光伏电池

摘要

本实用新型涉及一种倒置生长InAlAsP/InGaAs/Ge三结光伏电池，具体为在所述生长衬底上表面通过光刻工艺定义并刻蚀出连续二阶凹槽结构；依次外延出InAlAsP子电池、InGaAs子电池、Ge子电池；在整个结构表面上利用CVD方法快速沉积Ge键合层，并平坦化；提供另一衬底，并通过键合工艺键合到所诉平坦化Ge键合层上；刻蚀掉生长衬底完成衬底的转移，本方法简单，效率高，通过本方法制备出的InAlAsP/InGaAs/Ge三子结光伏电池具有高光电转换效率和收集效率，特别的对自然光线具有有效的限域作用。

主权项

一种倒置生长InAlAsP/InGaAs/Ge三结光伏电池，其特征在于：包括生长衬底，在所述生长衬底上表面通过光刻工艺定义并刻蚀出连续的第一阶凹槽结构，再利用光刻工艺在所述第一阶凹槽结构内定义并刻蚀出第二阶凹槽结构，以形成具有连续二阶凹槽结构的生长衬底，在所述具有连续二阶凹槽结构的生长衬底上依次外延出InAlAsP子电池、InGaAs子电池、Ge子电池，继而在整个结构表面上利用CVD方法快速沉积Ge键合层，并平坦化以使得该平坦化后的Ge键合层完全覆盖多结光伏电池的所有外延层，并具有平坦的上表面，并且提供另一衬底，通过键合工艺键合到所诉平坦化Ge键合层上，刻蚀掉生长衬底完成衬底的转移。